[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710183427.3 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN107227123A 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/02 分类号: C09J7/02;C09J133/00;C09J163/00;C09J175/14;C08G18/62;C09J11/08;C09J11/04;H01L21/683;C08F220/18;C08F8/30
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 代理人: 刘新宇,李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法,所述切割芯片接合薄膜能够抑制在冷却扩展工序中芯片接合薄膜从切割片浮起,并且能够在拾取工序中从切割片适宜地剥离带芯片接合薄膜的半导体芯片。一种切割芯片接合薄膜,具有切割片;和层叠在切割片上的芯片接合薄膜,切割片与芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内,切割片与芯片接合薄膜的‑15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内,芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的。
搜索关键词: 切割 芯片 接合 薄膜 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种切割芯片接合薄膜,其特征在于,具有:切割片;和层叠在所述切割片上的芯片接合薄膜,所述切割片与所述芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A在下述剥离力A的测定条件下处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内,所述切割片与所述芯片接合薄膜的‑15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内,所述芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的,<剥离力A的测定条件>T型剥离试验剥离速度300mm/分钟<剥离力B的测定条件>T型剥离试验剥离速度300mm/分钟。
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