[发明专利]一种氮化硅镁粉体及其制备方法有效
申请号: | 201710184755.5 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106904583B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 丁军;柴志南;邓承继;余超;祝洪喜 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C01B21/082 | 分类号: | C01B21/082 |
代理公司: | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人: | 张火春 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化硅镁粉体及其制备方法。其技术方案是:以10~15wt%的镁粉、15~25wt%的二氧化硅和65~75wt%的无机盐为原料,混合0.5~1h;然后在0.1~1MPa和氮气气氛条件下,以5~10℃/min的速率升温至中间温度;再以3~5℃/min的速率升温至烧成温度,保温1~7h,随炉冷却,洗涤,干燥,制得氮化硅镁粉体。其中:所述烧成温度为900~1300℃,中间温度与烧成温度的温度差为100~200℃。本发明具有生产工艺简单、生产周期短、原料资源丰富和生产成本低廉的特点;所制备的氮化硅镁粉体颗粒大小均匀和形貌单一。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 镁粉 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化硅镁粉体的制备方法,其特征在于:以10~15wt%的镁粉、15~25wt%的二氧化硅和65~75wt%的无机盐为原料,混合0.5~1h;然后在0.1~1MPa和氮气气氛条件下,以5~10℃/min的速率升温至中间温度,再以3~5℃/min的速率升温至烧成温度,保温1~7h,随炉冷却,洗涤,干燥,制得氮化硅镁粉体;所述烧成温度为900~1300℃,中间温度与烧成温度的温度差为100~200℃。
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