[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括用于形成鳍式场效应晶体管的第一区域以及用于形成隔离结构的第二区域；刻蚀基底，形成衬底以及位于第一区域衬底上分立的鳍部，与第二区域相邻的鳍部为第一鳍部，剩余鳍部为第二鳍部，沿平行于衬底表面且垂直于鳍部延伸方向上，第一鳍部和第二鳍部的宽度尺寸不同；在鳍部露出的衬底上形成隔离膜，隔离膜覆盖鳍部的侧壁；形成隔离膜后，对第一鳍部和第二鳍部中宽度尺寸更大的鳍部进行防穿通离子注入工艺；回刻蚀部分厚度的隔离膜，剩余隔离膜作为隔离结构。本发明在改善短沟道效应的同时，提高半导体结构的载流子迁移率，从而提高所形成半导体结构的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域用于形成鳍式场效应晶体管，所述第二区域用于形成鳍式场效应晶体管之间的隔离结构；刻蚀所述基底，形成衬底以及位于所述第一区域衬底上分立的鳍部，与所述第二区域相邻的鳍部为第一鳍部，剩余所述鳍部为第二鳍部，其中，沿平行于所述衬底表面且垂直于所述鳍部延伸方向上，所述第一鳍部和第二鳍部的宽度尺寸不同；在所述鳍部露出的衬底上形成隔离膜，所述隔离膜覆盖所述鳍部的侧壁；形成所述隔离膜后，对所述第一鳍部和第二鳍部中宽度尺寸更大的鳍部进行防穿通离子注入工艺，形成防穿通掺杂离子区；形成所述防穿通掺杂离子区后，回刻蚀部分厚度的所述隔离膜，剩余所述隔离膜作为隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部。