[发明专利]一种5‑磺基水杨酸插层柱撑的Mg‑Al‑Tb水滑石及其制备方法在审
| 申请号： | 201710186874.4 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107418577A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李增和;张婧 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C09K11/80 | 分类号： | C09K11/80 |
| 代理公司： | 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司11108 | 代理人： | 张洪年 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于稀土离子光致发光材料领域，具体涉及一种利用共沉淀法和离子交换法制备5‑磺基水杨酸插层柱撑的Mg‑Al‑Tb水滑石的方法。本发明通过酸碱双滴共沉淀法，制备Mg‑Al‑Tb碳酸根水滑石，然后通过焙烧还原、离子交换制备5‑磺基水杨酸插层柱撑的Mg‑Al‑Tb‑SSA水滑石。本发明利用无机材料为基质，过程简便、环境友好，稳定性强，本发明中通过改变Mg2+/Al3++Tb3+比例，研究Tb3+离子发光性能与水滑石结构关系，可用于提高稀土离子发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 水杨酸 插层柱撑 mg al tb 滑石 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种5‑磺基水杨酸插层柱撑的Mg‑Al‑Tb水滑石的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)通过酸碱双滴共沉淀法，制备Mg‑Al‑Tb碳酸根水滑石；2)以步骤1)得到的Mg‑Al‑Tb碳酸根水滑石为前驱体，通过焙烧还原、离子交换制备5‑磺基水杨酸插层柱撑的Mg‑Al‑Tb水滑石。
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