[发明专利]半导体结构表面处理方法在审
| 申请号： | 201710188523.7 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN107015445A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 吴珂 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构表面处理方法，包括如下步骤提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。在本发明提供的半导体结构表面处理方法中，在第一等离子体处理方式去除掉光刻胶以及完成清洁工艺后，通过第二等离子体处理方式可修复半导体结构表面形貌，并增加了薄膜层在后续工艺中的附着力，减少了产品缺陷，提高产品良率，同时可降低薄膜层悬键数量，使薄膜层表面的化学活性降低，提高薄膜层的抗腐蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构表面处理方法，其特征在于，所述半导体结构表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括薄膜层和位于所述薄膜层表面上待处理的光刻胶；采用第一等离子体处理方式去除所述待处理的光刻胶；将去除所述待处理的光刻胶后的半导体结构进行清洁工艺；采用第二等离子体处理方式处理经过所述清洁工艺后的半导体结构。
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