[发明专利]一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法有效
| 申请号： | 201710189336.0 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106847453B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孙继兵;池祥;步绍静;殷福星;崔春翔 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01F1/055 | 分类号： | H01F1/055;H01F41/02;C22C30/02;C22C19/07 |
| 代理公司： | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 | 代理人： | 胡安朋 |
| 地址： | 300130 天津市红桥区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明一种SmCo4B基永磁薄带及其制备方法，涉及含稀土金属和磁性过渡金属的和Ⅲa族元素的硬磁材料的磁体，该SmCo4B基永磁薄带的元素组成式为SmCoxCuyFezB，采用熔体离心快淬技术制备，由此制得的SmCo4B基永磁薄带该薄带的厚度为39μm～62μm，在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe～54.1kOe，剩磁为23.1emu/g～28.1emu/g，饱和磁化强度为24.1emu/g～32.6emu/g，克服了现有技术在Fe和Cu元素同时加入Sm‑Co‑B系合金所制得的SmCo4B基永磁薄带中未形成高硬磁相，薄带磁性能仍然有待进一步提高的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 smco4b 永磁 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SmCo4B基永磁薄带，其特征在于：其元素组成式为SmCoxFeyCuzB，该式中符号x、y和z表示限定元素组成范围的原子百分数，限定元素组成范围的符号以原子百分比计满足：x+y+z＝4，x＝2.64～3.24，y＝0.7～1.3，z＝0.02～0.1，该薄带的厚度为39μm～62μm，在室温下其内禀矫顽力为38.7kOe～54.1kOe，剩磁为23.1emu/g～28.1emu/g，饱和磁化强度为24.1emu/g～32.6emu/g。
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