[发明专利]实现更小线宽的光刻工艺有效
| 申请号： | 201710190157.9 | 申请日： | 2017-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN106933064B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张煜;郑海昌;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现更小线宽的光刻工艺，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氧化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。本发明可以在不使用精度更高光刻机的前提下，可以得到更小线宽的图形，进而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 更小线宽 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种实现更小线宽的光刻工艺，其特征在于，包括：提供衬底，并在衬底表面沉积氧化硅层和氮化硅层；在氮化硅层表面涂覆光刻胶；利用第一光刻机对所述氮化硅层表面进行曝光并形成曝光图形；刻蚀所述曝光图形，并去除光刻胶；利用第二光刻机的层间对准技术，并根据所需线宽设置套刻精度偏移量；根据该套刻精度偏移量在氧化硅层和氮化硅层表面涂覆光刻胶；对所述曝光图形进行第二次曝光，形成新的曝光图形；刻蚀新的曝光图形，并去除光刻胶；去除衬底上的氧化硅层和氮化硅层，形成多晶硅图形。
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