[发明专利]用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备

摘要

本发明涉及一种用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，包括沉积系统和两路原料吹送系统，沉积系统包括至少一个沉积室以及真空泵；各个沉积室的上端分别连接有第一进气管和第二进气管，第一进气管和第二进气管上分别设置有第一脉冲阀和第二脉冲阀，第一进气管与第一路原料吹送系统连接，第二进气管与第二路原料吹送系统连接；各个沉积室的下端分别连接有排气管，各个排气管分别与真空泵连接，各个排气管上设置有截止阀；各个沉积室内设置有衬底加热器，待加工衬底放置在衬底加热器上。本发明的大面积钙钛矿薄膜的设备，通过逐层生长的模式，大大提高了钙钛矿薄膜大面积均匀性，多腔体的构造可以实现大规模的生产。

主权项

一种用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，其特征是，包括沉积系统和两路原料吹送系统，所述的沉积系统包括至少一个沉积室（1）以及真空泵；各个所述沉积室（1）的上端分别连接有第一进气管和第二进气管，所述第一进气管和第二进气管上分别设置有第一脉冲阀（41）和第二脉冲阀（42），所述第一进气管与第一路原料吹送系统连接，所述第二进气管与第二路原料吹送系统连接；各个所述沉积室（1）的下端分别连接有排气管，各个排气管分别与真空泵连接，各个排气管上设置有用于控制排气管通断的截止阀（7）；各个所述沉积室（1）内设置有衬底加热器，待加工衬底放置在衬底加热器上。