[发明专利]一种低介电损耗氧化铝陶瓷材料在审
| 申请号： | 201710192403.4 | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106938920A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李蔚;胡家驹;程玉晶 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法。其特点是以高纯氧化铝粉（氧化铝含量>99.95%）为主料加上CaTiO3掺杂剂（每100gAl2O3粉体原料中CaTiO3的掺杂量为0.1~0.5g），球磨混和后利用干压成型制得陶瓷生坯，然后放入电炉中，1550‑1650℃烧结2‑4h，即可得到致密的介电损耗很低的氧化铝陶瓷材料（介电常数9.81‑9.87，Q ×f值176000‑226000GHz）。本发明选用CaTiO3掺杂来降低Al2O3陶瓷材料的介电损耗，和MgO、TiO2等掺杂相比，CaTiO3掺杂时是一个+2价的Ca离子和一个+4价的Ti离子同时固溶入Al2O3晶格中，其平均价态是+3价，与Al3+价态相同，因此不容易形成空位缺陷，避免出现介电损耗增加和性能不稳定等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低介电 损耗 氧化铝 陶瓷材料 | ||
【主权项】：
一种低介电损耗Al2O3陶瓷材料及其制造方法，其特征在于：以高纯氧化铝粉（氧化铝含量>99.95%）为主料，加入加上适量的CaTiO3 掺杂剂。
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