[发明专利]一种基于单原子层沉积的金属生长方法

摘要

本发明提供一种基于单原子层沉积的金属生长方法，包括提供单原子层沉积设备；对单原子层沉积设备中的单原子层沉积反应腔进行除湿除氧处理；在反应腔中通入第一前驱体反应物，用于在基片表面进行反应；从反应腔中排出过剩第一前驱体反应物及反应副产物；在反应腔中通入第二前驱体反应物，用于与基片上的所述第一前驱体反应物进行反应；从反应腔中排出过剩第二前驱体反应物及反应副产物。本发明所提供的基于单原子层沉积的金属生长方法，可以降低ALD设备中的水氧含量，不仅适用于集成电路中金属栅极材料的氧含量控制，还可以应用于任何成膜领域。

主权项

一种基于单原子层沉积的金属生长方法，其特征在于，包括：步骤一：提供单原子层沉积设备；步骤二：对所述单原子层沉积设备中的单原子层沉积反应腔进行除湿除氧处理；步骤三：在所述反应腔中通入第一前驱体反应物，用于在基片表面进行反应；步骤四：从所述反应腔中排出过剩所述第一前驱体反应物及反应副产物；步骤五：在所述反应腔中通入第二前驱体反应物，用于与所述基片上的所述第一前驱体反应物进行反应；步骤六：从所述反应腔中排出过剩所述第二前驱体反应物及反应副产物。