[发明专利]一种减少晶片缺陷的设备及方法在审

专利信息
申请号: 201710193119.9 申请日: 2017-03-28
公开(公告)号: CN108660513A 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 三重野文健 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B33/04 分类号: C30B33/04;C30B33/02;H01L21/324
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 201306 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种减少晶片缺陷的设备及方法,该设备包括腔体、加热装置以及微波发生器;其中,腔体包括中空的内腔,用于放置待处理晶片于工作面上;腔体外壁上设置与内腔相连通的进气口和出气口;加热装置沿工作面的延展方向均匀布设在腔体的外周;腔体的侧壁上、高于工作面的位置上设置有与内腔相连通的至少一微波口,微波发生器通过微波口与内腔相连通。设备中的微波发生器与加热装置相结合,能够进行多次、不同条件的退火步骤,在退火工艺中,晶片中的原子进行重新排列从而消除晶片中的空位和氧化诱生层错,减少晶片中的缺陷,提高晶片质量;而且,微波辅助退火的方式能够有效降低退火温度,避免高温引起的晶片翘曲,进一步保证晶片质量。
搜索关键词: 晶片 腔体 退火 内腔相连通 微波发生器 加热装置 晶片缺陷 微波口 进气口 氧化诱生层错 待处理晶片 不同条件 晶片翘曲 腔体外壁 退火工艺 微波辅助 重新排列 出气口 中空的 空位 侧壁 内腔 外周 延展 保证
【主权项】:
1.一种减少晶片缺陷的设备,其特征在于,所述设备至少包括腔体、加热装置以及微波发生器,其中:所述腔体包括中空的内腔,用于放置待处理晶片、并使所述待处理晶片处于工作面上;所述腔体外壁上还设置有与所述内腔相连通的进气口和出气口;所述加热装置沿所述工作面的延展方向均匀布设在所述腔体的外周;所述腔体的侧壁上、高于所述工作面的位置上设置有与所述内腔相连通的至少一微波口,所述微波发生器通过所述微波口与所述内腔相连通。
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