[发明专利]雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201710193406.X | 申请日： | 2017-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN107301965A | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 尹泰浩;钟梁奎;金敏浩;宋延锡;柳东洙;金钟荷 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司11408 | 代理人： | 林柳岑 |
| 地址： | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 雷射辅助接合系统及制造半导体装置的方法。一种制造一半导体装置的方法，该方法包括将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域作为非限制性的例子，此揭露内容的各种特点提供例如在空间上及/或时间上强化或控制一半导体晶粒的雷射照射的系统及方法，以改善该半导体晶粒至一基板的接合。 | ||
| 搜索关键词： | 雷射 辅助 接合 系统 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种制造一半导体装置的方法，该方法包括：将一半导体晶粒设置在一基板上；将雷射辐射透射穿过至少一射束过滤器，其中从至少该射束过滤器输出的雷射辐射同时：利用在一第一强度位准的一第一平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第一区域；以及利用在一不同于该第一强度位准的第二强度位准的一第二平顶的雷射射束来照射该半导体晶粒的一第二区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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