[发明专利]一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法

摘要

本发明涉及微电子器件湿气含量计算方法，具体是一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法，采用ANSYS软件构建微电子器件的实体模型并将微电子器件的实体模型进行有限元网络划分为n个单元，根据热传导公式q=c*m*△t以及有限元分析中用于湿气扩散分析的热‑湿类比关系计算每个单元吸收水分的重量，然后将每个单元吸收水分的重量相加即得电子器件增加的水分含量；本发明操作简单，为分析微电子器件的潮湿敏感度等级缩短了时间。

主权项

一种基于ANSYS计算微电子器件增加水分含量的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）采用ANSYS软件构建微电子器件的实体模型；（2）对微电子器件的实体模型进行有限元网络划分，将微电子器件的实体模型分为n个单元；（3）将ANSYS软件中的热传导分析的参数对应设置成潮湿扩散分析的参数；所述热传导分析的参数包括物体吸收的能量q、温度T、密度ρ、比热容c、热传导率K；所述潮湿扩散分析的参数包括微电子器件吸收水分的重量G、相对湿度w、密度ρc、饱和潮湿度Csat、潮湿扩散度D；其中温度T对应相对湿度w；比热容c对应饱和潮湿度Csat，热传导率K对应潮湿扩散度D与饱和潮湿度Csat的乘积；所述潮湿扩散分析中密度ρc=1；（4）利用ANSYS软件对微电子器件进行加载外界环境的温度T，即可得相对湿度w；（5）利用ANSYS软件计算微电子器件的实体模型每个单元的体积Vi（i=1,2,···,n）；（6）根据公式q=c*m*△t和m=ρ*V可得G=Csat*ρc*V*w；根据潮湿扩散分析中密度ρc=1可得每个单元吸收水分的重量Gi=Csat*V*w,（i=1,2,···,n）式中Csat为常数，材料不同Csat的值也不同；（7）对n个单元采用加法求取微电子器件吸收水分的重量G，（i=1,2,···,n）。