[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710194556.2 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107731851B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 内田慎一;中柴康隆 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体装置。在半导体装置中，抑制噪声经由密封环的传播。半导体装置(SM1)具备形成于包围电路形成区域的密封环区域(1C)的环状的密封环(SR)。密封环(SR)具有BOX层(BX)、n型半导体层(NR)以及由多层的布线(MR1、MR2、MR3、MR4、MR5)构成的环状的电极部(ESR)，电极部(ESR)经由插销电极(PL)而与n型半导体层(NR)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1区域；第2区域，包围所述第1区域的外周；以及环状的密封环，形成于所述第2区域，所述半导体装置的特征在于，所述第2区域具有：SOI基板，包括第1导电类型的半导体基板、所述半导体基板上的埋入绝缘膜及所述埋入绝缘膜上的半导体层；以及层间绝缘膜，设置于所述半导体层上，所述密封环具有：环状的电极部，埋设于所述层间绝缘膜，并且由导电膜构成；所述半导体层；以及所述埋入绝缘膜，所述电极部与所述半导体层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
