[发明专利]单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜制备方法，包括前驱液制备和单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜两个步骤，通过高温挥发和抗溶剂结晶可控限制生长单晶钙钛矿薄膜的方法。与现有技术相比，本发明的钙钛矿薄膜具有单晶结构，薄膜厚度可控，缺陷密度低等优点，有利于钙钛矿薄膜中自由载流子的传输，减少光生电子、空穴的复合，提高钙钛矿太阳能电池的效率。

主权项

一种单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)前驱液制备：将BX2和AX加入到相对应的溶剂中制成0.001‑5mol/L浓度的ABX3钙钛矿前驱液，并将前驱液在30℃‑150℃下搅拌0.5‑48h至均匀澄清；(2)单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备：在制备好电子传输层/空穴传输层的基片上放置限制单晶钙钛矿生长的模具，用于调控单晶钙钛矿生长的空间，并将基片放入容器中，将ABX3钙钛矿前驱液逐渐加入到模具空间中，将容器放置在80‑200℃加热面板上加热，生长过程中间隔在容器中加入抗溶剂，生长1‑96h后，取出基片；将基片以500‑6000r/s的速度旋转10‑60s，旋干薄膜，放置到80‑200℃的加热面板上退火5‑120min。