[发明专利]一种紫外透明导电薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201710195510.2 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN106968015B | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王钢;卓毅;陈梓敏;范冰丰;马学进;李健 | 申请（专利权）人： | 佛山市中山大学研究院;中山大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 顿海舟;李唐明 |
| 地址： | 528222 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化铟基透明导电薄膜及其制备方法，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面。其通过金属有机化学气相沉积的方式制备，以有机金属三甲基铟作为铟源、高纯氧气作为氧源，四(二甲氨基)锡作为掺杂源制备获得。本发明的氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm，电阻率小于5×10‑4Ω·cm，具有4.1～4.7eV的光学带隙，在300nm处的透过率大于50％，且光谱透射区域延伸到深紫外波段，还能精准控制表面形貌，适用于作为近紫外‑深紫外波段的透明导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 透明 导电 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铟基透明导电薄膜，其特征在于，该氧化铟基透明导电薄膜包括基底材料、氧化铟籽晶层和氧化铟主体层；所述氧化铟籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化铟主体层附着在氧化铟籽晶层的表面；所述氧化铟基透明导电薄膜的电阻率小于5×10‑4Ω·cm；所述氧化铟基透明导电薄膜具有4.1～4.7eV的光学带隙；所述氧化铟基透明导电薄膜厚度为20nm～1μm；所述氧化铟基透明导电薄膜在300nm处的透过率大于50％；所述氧化铟籽晶层和氧化铟主体层含有掺杂源锡，锡与铟的原子数量比例为1:100～1:4；所述氧化铟基透明导电薄膜采用MOCVD外延生长的方法获得。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市中山大学研究院;中山大学，未经佛山市中山大学研究院;中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710195510.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
