[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710195980.9 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107275401B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 森田健士;津村和宏 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法，所述半导体装置能够容易地调整半导体装置的静电保护元件的耐压。在将N沟道型MOS晶体管作为静电保护元件的半导体装置中，N沟道型MOS晶体管构成为具有：纵向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向下方减小的3种不同的杂质浓度；横向的电场缓和区域，其具有从N型高浓度漏区域朝向沟道区域减小的3种不同的杂质浓度；以及杂质浓度最低的电场缓和区域，其与纵向的电场缓和区域和横向的电场缓和区域相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有N沟道型MOS晶体管，该N沟道型MOS晶体管包含下述部分：场氧化膜和栅氧化膜，它们被设置于半导体衬底上；栅极，其被设置于所述栅氧化膜的上方，该栅极的一端被配置成延伸至所述场氧化膜上；N型高浓度源区域，其被设置于所述栅极的另一端；沟道区域，其被所述N型高浓度源区域和所述场氧化膜的一个端部夹着，且设置于所述栅氧化膜的下方；N型高浓度漏区域，其被设置于所述场氧化膜的处于所述一个端部的相反侧的另一个端部；以及多个电场缓和区域，它们处于所述场氧化膜的下方，且被设置于所述N型高浓度漏区域的周围，其特征在于，所述多个电场缓和区域具有：纵向的电场缓和区域，其具有从所述N型高浓度漏区域朝向下方减小的3种不同的杂质浓度；横向的电场缓和区域，其具有从所述N型高浓度漏区域朝向所述沟道区域减小的3种不同的杂质浓度；以及杂质浓度最低的电场缓和区域，其与所述纵向的电场缓和区域和所述横向的电场缓和区域相接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司，未经艾普凌科有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710195980.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件以及半导体器件的制造方法
- 下一篇：半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
