[发明专利]一种自偏置内匹配功率管在审
申请号: | 201710196137.2 | 申请日: | 2017-03-29 |
公开(公告)号: | CN107124145A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 钟世昌;黄丹 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H03F1/56 | 分类号: | H03F1/56;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21 |
代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司32215 | 代理人: | 沈根水 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及的是一种自偏置内匹配功率管,包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路;本发明的优点1)采用分布式电感和电容实现内匹配,减小了功率管的体积;2)自偏置电路采用单电源供电,与传统的双电源供电电路相比,只采用一个正电压加电,应用更方便;3)自偏置电路栅极为直流地,源极串联一路并联的RC电路到地,其中电阻给器件提供瞬态保护,电容可以减弱焊盘负反馈的影响,提高了器件的稳定性;采用单电源自偏置电路,制作的内匹配功率管具有体积小、稳定度高、应用方便等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 偏置 匹配 功率管 | ||
【主权项】:
一种自偏置内匹配功率管,其特征是包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路;所述输入匹配电路负责将所述管芯的输入阻抗匹配至50Ω;所述输出匹配电路负责将所述管芯的输出阻抗匹配至50Ω;所述自偏置电路采用单电源供电,外接漏电压Vd,RS电阻上的分压Vs与栅极的压差即为Vgs,所述Vgs压差是自偏置电路中的RS电阻上的Vs分压与自偏置电路的栅极的压差;自偏置电路的源极串联一路并联的RC电路,RS电阻给器件提供瞬态保护,漏极电流的增加或者减少会自动调整栅极偏压,使器件电流保持不变,C1旁路电容实现极低阻抗,减弱源极焊盘负反馈的影响,P0管芯采用3.6mm GaN HEMT管芯,制作在SiC衬底上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710196137.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:双向高电压输出线性放大电路
- 下一篇:一种滤波器参数提取的自适应方法