[发明专利]一种自偏置内匹配功率管在审

专利信息
申请号: 201710196137.2 申请日: 2017-03-29
公开(公告)号: CN107124145A 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 钟世昌;黄丹 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H03F1/56 分类号: H03F1/56;H03F1/52;H03F3/193;H03F3/21
代理公司: 南京君陶专利商标代理有限公司32215 代理人: 沈根水
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及的是一种自偏置内匹配功率管,包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路;本发明的优点1)采用分布式电感和电容实现内匹配,减小了功率管的体积;2)自偏置电路采用单电源供电,与传统的双电源供电电路相比,只采用一个正电压加电,应用更方便;3)自偏置电路栅极为直流地,源极串联一路并联的RC电路到地,其中电阻给器件提供瞬态保护,电容可以减弱焊盘负反馈的影响,提高了器件的稳定性;采用单电源自偏置电路,制作的内匹配功率管具有体积小、稳定度高、应用方便等特点。
搜索关键词: 一种 偏置 匹配 功率管
【主权项】:
一种自偏置内匹配功率管,其特征是包括输入匹配电路、P0管芯、输出匹配电路和自偏置电路;所述输入匹配电路负责将所述管芯的输入阻抗匹配至50Ω;所述输出匹配电路负责将所述管芯的输出阻抗匹配至50Ω;所述自偏置电路采用单电源供电,外接漏电压Vd,RS电阻上的分压Vs与栅极的压差即为Vgs,所述Vgs压差是自偏置电路中的RS电阻上的Vs分压与自偏置电路的栅极的压差;自偏置电路的源极串联一路并联的RC电路,RS电阻给器件提供瞬态保护,漏极电流的增加或者减少会自动调整栅极偏压,使器件电流保持不变,C1旁路电容实现极低阻抗,减弱源极焊盘负反馈的影响,P0管芯采用3.6mm GaN HEMT管芯,制作在SiC衬底上。
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