[发明专利]复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管，其自下而上包括：漏极(13)、GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的二级阶梯形的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)、帽层(8)和栅极(12)，沟道层和势垒层的两侧刻有源槽(10)，源槽中淀积有两个源极(11)，帽层两侧刻有两个台阶(9)，除漏极底部以外所有区域覆盖钝化层(14)，两侧的钝化层内制作有复合源场板(15)，该复合源场板是由多个相互独立的浮空场板和一个源场板构成，源场板与源极电气连接，两个电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

主权项

一种复合源场板电流孔径异质结场效应晶体管，包括:GaN衬底(1)、GaN漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)和势垒层(7)，沟道层(6)和势垒层(7)的两侧刻蚀有源槽(10)，两侧源槽(10)中淀积有两个源极(11)，源极(11)之间的势垒层上外延有帽层(8)，帽层(8)两侧刻有两个台阶(9)，帽层(8)上面淀积有栅极(12)，GaN衬底(1)下面淀积有漏极(13)，除漏极(13)底部以外的所有区域完全包裹有钝化层(14)，两侧的钝化层内制作有复合源场板(15)，两个对称的电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)，其特征在于：所述两个电流阻挡层(4)，采用由第一阻挡层(41)和第二阻挡层(42)构成的二级阶梯结构，且第一阻挡层(41)位于第二阻挡层(42)的外侧；所述钝化层(14)，是由若干层绝缘介质材料自下而上堆叠而成；所述复合源场板(15)，是由m个浮空场板和一个源场板构成，m个浮空场板自下而上依次为第一场板至第m场板，所有浮空场板相互独立，源场板与源极(11)电气连接，m根据器件实际使用要求确定，其值为大于等于1的整数。