[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710198362.X | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN108666367B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应管及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部；在所述鳍部露出的半导体衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述第一隔离层顶部低于所述鳍部顶部；在所述第一隔离层露出的鳍部侧壁上形成保护层；在所述鳍部之间形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层的顶部以及所述保护层的侧壁；在形成所述第二隔离层之后，去除位于所述第二隔离层之间的部分厚度或全部厚度的鳍部，形成开口；对所述开口进行清洗处理；对所述开口进行清洗处理之后，形成填充满所述开口的沟道层。本发明形成的鳍式场效应管的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有多个分立的鳍部；在所述鳍部露出的半导体衬底上形成第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述第一隔离层顶部低于所述鳍部顶部；在所述第一隔离层露出的鳍部侧壁上形成保护层；在所述鳍部之间形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层的顶部以及所述保护层的侧壁；在形成所述第二隔离层之后，去除位于所述第二隔离层之间的部分厚度或全部厚度的鳍部，形成开口，且所述保护层位于所述开口侧壁上；对所述开口进行清洗处理；对所述开口进行清洗处理之后，形成填充满所述开口的沟道层，所述沟道层的材料与鳍部的材料不同；在形成所述沟道层之后，去除部分厚度的第二隔离层，使得剩余第二隔离层顶部高于所述沟道层底部；去除部分厚度的第二隔离层之后，去除剩余第二隔离层露出的保护层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710198362.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
