[发明专利]有机EL显示装置和有机EL显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710198483.4 | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107275409B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 丸山哲 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/266;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;王娟娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供有机EL显示装置和该有机EL显示装置的制造方法，不导致过度的亮度降低和消耗电力的增加就可改善每个像素的晶体管特性不均。本发明的有机EL显示装置具有多个像素，在上述各像素中具有控制流过有机EL元件的电流的晶体管，上述晶体管包括：一方与上述有机EL元件电连接、另一方被从上述有机EL显示装置的外部供给电源的漏电极和源电极；形成在上述源电极与上述漏电极之间的第1栅电极；和形成在上述第1栅电极的下层侧的半导体膜，上述半导体膜中的、上述栅电极与上述漏电极或上述源电极之间的区域的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 el 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种有机EL显示装置，具有多个像素，在各所述像素中具有对流过有机EL元件的电流进行控制的晶体管，所述有机EL显示装置的特征在于，所述晶体管具有：漏电极和源电极，所述漏电极和源电极中的一方与所述有机EL元件电连接，另一方被从所述有机EL显示装置的外部供给电源；形成在所述源电极和所述漏电极之间的第1栅电极；和形成在所述第1栅电极的下层侧的半导体膜，所述半导体膜的、所述第1栅电极与所述漏电极或所述源电极之间的区域中的一方的第1区域被以高浓度注入n型离子，另一方的第2区域被以低浓度注入n型离子。
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