[发明专利]一种低温磁控溅射制备低电阻率氮化钛薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710198901.X | 申请日： | 2017-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN107058962A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 卢乾波;叶辉;白剑;陈超楠 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温磁控溅射制备低电阻率氮化钛薄膜的方法。采用单面抛光的基片作为衬底，选用超高真空磁控溅射设备，将基片放置于加热台面上；盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，进行磁控溅射；溅射后停止通入氮气和氩气，关闭分子泵，降温后关闭机械泵，打开放气阀，待加热台面温度降至常温时取出样品，获得所述低阻氮化钛薄膜；调整溅射功率、工作电压、溅射薄膜时的温度以及氮气氩气流量比例和总流量使得最终制成低阻氮化钛薄膜，并通过控制溅射功率和溅射时间控制薄膜的厚度。本发明方法所需基底加热温度低，仅为400摄氏度，可行性高；且制备的氮化钛薄膜拥有低电阻率，均匀性和平整度也较好，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 磁控溅射 制备 电阻率 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种低温磁控溅射制备低阻氮化钛薄膜方法，其特征在于具体步骤如下：1)采用单面抛光的基片作为衬底，选用超高真空磁控溅射设备，将经过RCA标准清洗的基片放置于加热台面上，调整基片与靶材之间的距离；2)盖上真空腔盖，抽取本底真空，通入氮气和氩气，选取直流磁控溅射模式，进行磁控溅射；3)磁控溅射后，停止通入氮气和氩气，关闭分子泵，待降温至100至150度，关闭机械泵，打开放气阀，待加热台面温度降至常温时取出样品，获得所述低阻氮化钛薄膜。
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