[发明专利]一种高稳定性量子点及其制备方法与用途在审
| 申请号： | 201710199967.0 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108285792A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 颜奇旭;张万超;陈凯 | 申请（专利权）人： | 常州华威新材料有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;C09D5/22;C09D7/62;C09D183/04;C09D163/00;C09D175/04;C09D123/00;C08J7/04 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 213144 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种高稳定性量子点及其制备方法与用途，本发明所述量子点包括CdSeS核，包覆所述CdSeS核的中间核层ZnS层，以及包覆所述中间核层ZnS层的最外层金属氧化物层。本发明制备的量子点稳定性好，利用量子点制备的量子点膜制品不但具备高色域而且不需要设置价格昂贵的水氧阻隔膜，从而显著降低了量子点膜的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 制备 高稳定性 包覆 核层 金属氧化物层 制造成本 膜制品 阻隔膜 最外层 色域 水氧 | ||
【主权项】：
1.一种高稳定性量子点，其特征在于：所述量子点包括CdSeS核，包覆所述CdSeS核的中间核层ZnS层，以及包覆所述中间核层ZnS层的最外层金属氧化物层。
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