[发明专利]太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片在审
| 申请号： | 201710200935.8 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107068774A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 陈晓玉;赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池减反钝化膜，包括第一层，形成于硅片衬底上，所述第一层为SiOx层；第二层，形成于所述第一层上，所述第二层为SiNx层；第三层，形成于所述第二层上，所述第三层为SiONx层；第四层，形成于所述第三层上，所述第四层为SiOx层。本发明还提供了一种太阳能电池减反钝化膜的制备方法及一种太阳能电池片。本发明同时提高了钝化效果和减反效果，大大提高了短波区的光谱吸收效果，提高了太阳能电池在整个波段的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钝化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池减反钝化膜，其特征在于，包括：第一层，形成于硅片衬底上，所述第一层为SiOx层；第二层，形成于所述第一层上，所述第二层为SiNx层；第三层，形成于所述第二层上，所述第三层为SiONx层；第四层，形成于所述第三层上，所述第四层为SiOx层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
