[发明专利]一种超结MOSFET渐变终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201710201412.5 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108666368A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 白玉明;徐承福;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 李帅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是一种超结MOSFET渐变终端结构及其制作方法，包括N型衬底和形成于N型衬底上的N型外延层，N型外延层包括元胞区及包围元胞区的终端区，其中元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N型外延层中的两个元胞区P柱。本发明终端区中形成有至少一个终端区P柱，终端区P柱顶端连接有至少三个P‑型体区，每两个相邻的P‑型体区之间的间距沿着远离元胞区P柱的方向依次增大，多个P‑型体区排布成一系列渐变的P‑型体区结构，该渐变的P‑型体区结构的存在有利于器件的电场向右横向延展，从而有利于提高终端耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 元胞区 体区 终端区 渐变 超结MOSFET 晶体管单元 终端结构 衬底 半导体器件技术 电场 顶端连接 横向延展 依次增大 耐压 排布 制作 终端 包围 | ||
【主权项】：
1.一种超结MOSFET渐变终端结构，包括N型衬底(201)和形成于所述N型衬底(201)上的N型外延层(202)，所述N型外延层(202)包括元胞区及包围所述元胞区的终端区，其中所述元胞区中形成有至少一个晶体管单元，所述晶体管单元包括形成于所述N型外延层(202)中的两个元胞区P柱(203)，两个所述元胞区P柱(203)顶端分别连接有P型体区(206)和N+型体区(209)，且所述P型体区(206)和N+型体区(209)位于所述N型外延层(202)内，所述终端区中形成有至少一个终端区P柱(204)，其特征在于：所述终端区P柱(204)顶端连接有至少三个P‑型体区(205)，每两个相邻的P‑型体区(205)之间的间距沿着远离所述元胞区P柱(203)的方向依次增大。
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