[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710202613.7 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108333677A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林柏均 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/12;G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方，其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分，反之亦然。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 第一表面 第一侧壁 反射件 波导 反射表面 耦合 配置的 导引 制造 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一基板，包含一第一表面与一第一侧壁；一波导，包含沿着该第一表面配置的一第一部分，以及沿着该第一侧壁配置且耦合该第一部分的一第二部分；以及一反射件，位于该波导上方；其中该反射件包含一反射表面，位于该第一部分与该第二部分之间，并且经配置以将光自该第一部分导引至该第二部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司，未经南亚科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710202613.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光纤平整度改善装置
- 下一篇：基于二维光子晶体的磁控谐振腔开关型ROADM
