[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710202615.6 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108666208A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 方周;胡华勇;刘畅;潘周君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在基底上形成介质层，所述介质层含氮；在所述介质层上形成硬掩膜层和阻挡层；在阻挡层上形成第一光阻图形层；之后进行光阻重做形成第二光阻图形层。在光阻重做过程中，所述硬掩膜层和所述阻挡层能减少所述介质层的损伤从而使位于介质层深处的氮离子不容易暴露在介质层表面，因此，避免了杂质物质的生成，从而使得形成的第二光阻图形层的轮廓更加清晰准确，进而提高了所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 半导体结构 光阻图形 阻挡层 硬掩膜层 光阻 重做 介质层表面 杂质物质 氮离子 基底 损伤 暴露 清晰 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层，所述介质层含氮；在所述介质层上形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成第一光阻图形层；去除所述第一光阻图形层；在所述阻挡层上形成第二光阻图形层；以所述第二光阻图形层为掩膜刻蚀所述阻挡层和硬掩膜层，形成硬掩膜图形；以所述硬掩膜图形为掩膜图形化所述介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
