[发明专利]一种硅差压芯片及内置该硅差压芯片的微差压传感器在审
| 申请号： | 201710202854.1 | 申请日： | 2017-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106840508A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 王徐坚;李俊毅;张曙;郝正宏;魏嘉;姚康;汤俐敏 | 申请（专利权）人： | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | G01L19/06 | 分类号： | G01L19/06;G01L1/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201100 上海市闵行*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅差压芯片及内置该硅差压芯片的微差压传感器，其中硅差压芯片包括下止挡层、上止挡层以及位于下止挡层和上止挡层中间的可移动的测量隔膜，下止挡层和测量薄膜之间及上止挡层和测量薄膜之间均采用硅硅键合连接，上止挡层内侧设置有上止挡层凸起，下止挡层内侧设置有下止挡层凸起，上止挡层凸起与测量隔膜之间设置间隙a，下止挡层凸起与测量薄膜之间设置间隙b。本发明的结构设计在过压情况下能有效地保护硅差压芯片，并且结构和制造工艺简单，介质通道简洁，介质充灌量较少，测量精度较好，成本较低，适合大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅差压 芯片 内置 微差压 传感器 | ||
【主权项】：
一种硅差压芯片，其特征在于：包括下止挡层(14)、上止挡层(15)以及位于下止挡层(14)和上止挡层(15)中间的可移动的测量隔膜(12)，所述下止挡层(14)和测量薄膜(12)之间及上止挡层(15)和测量薄膜(12)之间均采用硅硅键合连接；所述上止挡层(15)内侧设置有上止挡层凸起(15.1)，下止挡层(14)内侧设置有下止挡层凸起(14.1)，上止挡层凸起(15.1)与测量隔膜(12)之间设置有间隙a，下止挡层凸起(14.1)与测量薄膜(12)之间设置有间隙b。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海洛丁森工业自动化设备有限公司，未经上海洛丁森工业自动化设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710202854.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高中学生用课桌
- 下一篇：一种测量超音速二维流场的稳态温度压力组合探针
