[发明专利]一种NFC模组用隔磁片及其制造方法有效
申请号: | 201710205357.7 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN106876084B | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 韩洪波;谷宏 | 申请(专利权)人: | 深圳市晶磁材料技术有限公司 |
主分类号: | H01F7/00 | 分类号: | H01F7/00;H01F41/02;H05K9/00 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 谭健洪;莫瑶江 |
地址: | 518106 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种NFC模组用隔磁片,特别的,包括磁性薄片层和散热层;该磁性薄片层包括若干个由金属软磁材料制成的磁性薄片,该金属软磁材料为高磁导率材料;相邻磁性薄片通过粘结剂同向粘结;该散热层由散热材料制成,该散热层的一侧通过粘结剂与磁性薄片层粘结,另一侧设有用于起绝缘保护作用的保护膜。本发明还公开了制造上述NFC模组用隔磁片的制造方法。本发明具有结构简单、性能优异、隔磁片磁导率和品质因素显著提高、生产过程简单便利、保证隔磁片在使用过程中能够良好的散好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 nfc 模组 磁片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种NFC模组用隔磁片的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:A)用高磁导率的金属软磁材料制成若干个呈片状结构的高磁导片;所述高磁导率的金属软磁材料是指在13.56MHz的条件下,磁导率实部在200~500范围内、磁导率虚部在10~50范围内的纳米晶带材;所述纳米晶带材是经过高温微氧化处理且表面形成有一层氧化膜的纳米晶带材,所述纳米晶带材的单层厚度在15~30μm范围内;所述高温微氧化处理的热处理温度在500℃~650℃范围内,热处理时间在60分钟~180分钟范围内;保护气氛为氮气,且该氮气的含氧量在1.2%~1.5%范围内;B)用粘结剂覆盖任一高磁导片的一侧,形成一块磁性薄片;重复本步骤,直至磁性薄片的数量N满足设计要求,N≥2;C)对数量为N的磁性薄片进行同向粘结,形成磁性薄片层;该磁性薄片层的一侧覆盖有粘结剂,另一侧为裸露面;D)用散热材料制成呈片状结构的散热片,并用粘结剂覆盖散热片的一侧,形成散热层;该散热层的一侧覆盖有粘结剂,另一侧为裸露面;所述散热层是厚度在10~100μm之间且导热系数为500~2000W/m·K的柔性薄片;E)将散热层覆盖有粘结剂的一侧粘结于磁性薄片层的裸露面;F)在散热片的裸露面粘贴起绝缘保护作用的保护膜,制成隔磁片。
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