[发明专利]基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法

摘要

本发明涉及一种基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法，该方法通过建立问题的电场能模型，利用全局密度函数及泊松方程的解析解，求解VLSI标准单元全局布局问题。技术方案要点如下：(1)通过将布局问题与静电系统进行类比，将单元比作电荷，将原先的密度约束转化为零势能约束。构建了微分方程，并通过对其求解显式表达式来更为精确的刻画势能约束。再采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及势能约束转化为无约束的非线性规划问题并选择合适的优化技术进行优化。(2)与之前使用均匀划分bin的方法得到离散的密度函数值不同，此发明计算单元与整个布局区域重叠约束的全局密度表达式，从而更准确的刻画单元在布局区域上的分布状况。

主权项

1.一种基于电场能建模技术的VLSI标准单元布局方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤S1：把电路表示为超图H＝{V,E}；/n步骤S2：把电路基于电场能技术进行建模；/n步骤S3：计算全局密度函数，构建泊松方程并求解；/n步骤S4：用无约束二次规划方法初始化单元的位置；/n步骤S5：令参数k＝1；/n步骤S6：计算线长，线长梯度；/n步骤S7：采用罚函数方法将VLSI全局布局的线长目标及密度约束转化为无约束的非线性规划问题；/n步骤S8：利用优化方法求解步骤S7中的非线性规划问题得到新的单元位置；/n步骤S9：修改所述步骤S7中罚函数中的罚参数；/n步骤S10：k＝k+1；/n步骤S11：返回步骤S6，循环步骤S6至步骤S10，直到溢出率满足要求；/n其中，所述步骤S2中，将整个布局问题建模成为二维静电系统，电势和电场的分布由系统中的所有元素决定；每个节点i作为标准单元，转化为一个正电荷，电量q