[发明专利]一种全介质超材料类EIT谐振装置有效
申请号: | 201710207456.9 | 申请日: | 2017-03-31 |
公开(公告)号: | CN106887665B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 洪治;隋传帅;郎婷婷;李向军;井旭峰;韩冰心 | 申请(专利权)人: | 中国计量大学 |
主分类号: | H01P7/10 | 分类号: | H01P7/10 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 陈昱彤 |
地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种全介质超材料类EIT谐振装置,包括平板波导和二维周期性介质谐振器,所述平板波导包括第一介质层,所述二维周期性介质谐振器由置于第一介质层的上表面且呈二维周期性分布的长方体介质条构成,所述长方体介质条的折射率大于所述第一介质层的折射率。二维周期性介质谐振器本身具有谐振特性,根据Mie谐振原理可以产生一系列的Mie谐振。另外,二维周期性介质谐振器又具有类光栅作用,可使入射波发生衍射并与平板波导导模耦合。通过操控Mie谐振和导模谐振的相互作用,可以产生类EIT效应。使用本发明所述的全介质超材料类EIT谐振装置,可以实现高品质因子谐振和高谐振强度,从而得到高的群折射率。 | ||
搜索关键词: | 一种 介质 材料 eit 谐振 装置 | ||
【主权项】:
一种全介质超材料类EIT谐振装置,其特征在于:包括平板波导和二维周期性介质谐振器,所述平板波导包括第一介质层,所述二维周期性介质谐振器由置于第一介质层的上表面且呈二维周期性分布的长方体介质条构成,所述长方体介质条的折射率大于所述第一介质层的折射率。
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