[发明专利]湿式蚀刻装置有效
申请号: | 201710207544.9 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN107452649B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 小林信雄;黑川祯明;滨田晃一 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周欣;陈建全 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种湿式蚀刻装置,其供给适当的二氧化硅浓度的磷酸水溶液,能够通过氮化膜和氧化膜的充分的选择比进行湿式蚀刻。所述湿式蚀刻装置包括:贮存磷酸水溶液的贮存部(20);贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部(30);浓度检测部(22),其用于检测贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度;控制部(100),当由浓度检测部(22)检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时,所述控制部(100)从添加剂贮存部(30)向贮存部(20)供给二氧化硅添加剂;以及处理部(40),其利用贮存在贮存部(20)中的磷酸水溶液对基板(W)进行处理。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种湿式蚀刻装置,其是对至少形成有氮化膜和氧化膜的基板进行处理的湿式蚀刻装置,其特征在于,该装置包括:贮存磷酸水溶液的贮存部;贮存二氧化硅添加剂的添加剂贮存部;浓度检测部,其用于检测贮存在所述贮存部中的磷酸水溶液的二氧化硅浓度;添加剂供给部,当由所述浓度检测部检测出的磷酸水溶液的二氧化硅浓度低于规定值时,所述添加剂供给部从所述添加剂贮存部向所述贮存部供给二氧化硅添加剂;以及处理部,其利用贮存在所述贮存部中的磷酸水溶液对基板进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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