[发明专利]一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构及存储器，通过于所述衬底上形成第一沟槽；对所述第一沟槽内衬底进行掺杂；于第一沟槽内形成相互独立的第一栅介质层和第一栅电极，以及第二栅介质层和第二栅电极；形成保护层；于第一沟槽内沉积漏区材料层，并刻蚀形成第二沟槽；于所述第二沟槽内填充隔离层，隔离层的顶面高于第一沟槽的底面；于所述隔离层上形成漏电极。本发明通过控制刻蚀窗口尺寸进行自对准刻蚀，无需依赖高解析度的光刻设备工艺，降低了工艺难度和生产成本；而且，通过双沟槽的结构设置，不但相邻存储单元之间能够进行有效隔离，第二沟槽中的隔离层能够实现存储单元内的电容隔离，抑制电容耦合，提高存储器的可靠性。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：提供一衬底，于所述衬底上形成第一沟槽；对所述衬底进行掺杂，于所述衬底的所述第一沟槽的第一侧面和第二侧面形成源区，于所述衬底内所述第一沟槽的底面形成沟道区，所述第一侧面和所述第二侧面为沿所述第一沟槽的长度方向形成；于所述第一沟槽内形成栅介质层与栅电极层，所述栅介质层包含第一栅介质层与第二栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述第一侧面和所述第一沟槽的部分底面，所述第二栅介质层形成于所述第二侧面和所述第一沟槽的部分底面，所述栅电极层包含第一栅电极与第二栅电极，所述第一栅电极形成于所述第一栅介质层上，所述第二栅电极形成于所述第二栅介质层上，其中所述第一栅介质层与所述第二栅介质层相分隔，所述第一栅电极与所述第二栅电极相分隔；于所述第一沟槽内形成保护层，所述保护层包含第一保护层与第二保护层，所述第一保护层形成于所述第一栅电极的顶面和侧面，所述第二保护层形成于所述第二栅电极的顶面和侧面，所述第一保护层和所述第二保护层相分隔；于所述第一沟槽内沉积漏区材料层，并刻蚀所述漏区材料层和所述衬底，以形成第二沟槽，所述第二沟槽对准所述沟道区并由所述第一沟槽的底面往所述衬底内部延伸，以分割所述源区；于所述第二沟槽内填充隔离层，所述隔离层的顶面高于所述第一沟槽的底面；以及于所述隔离层上形成漏电极，所述漏电极填充所述第一沟槽的剩余部分。