[发明专利]一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法有效
| 申请号： | 201710210428.2 | 申请日： | 2017-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107176589B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 张强;樊建锋;张华;许并社 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;H01L35/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法，它包括以下步骤：1）按Mg3(1+0.04)Sb2各原子化学计量比进行称量，然后将它们研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将步骤1）所得块体密封于玻璃管中，再将其放入反应炉中，得到单相Mg3Sb2化合物；（3）将上述所得产物研磨成粉末，进行氢化脱氢处理（HDDR，hydrogenation–disproportionation–desorption–recombination），得到纳米化的Mg3Sb2热电材料。本发明首次将氢化脱氢（HDDR）方法应用到纳米化Mg3Sb2热电材料的制备中，为今后更多Mg基热电材料的HDDR纳米化制备打下良好的基础。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 mg3sb2 热电 材料 新方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米化Mg3Sb2热电材料的方法，其特征在于包括以下步骤：1）按Mg3(1+0.04)Sb2各原子化学计量比进行称量，然后将称量好的Mg粉和Sb粉研磨混合均匀，将混合均匀的粉末压成块体；2）将步骤1）所得块体真空密封于玻璃管中，再将该玻璃管放入反应炉中，反应温度为600℃，保温时间为20h，可得到单相Mg3Sb2化合物；3）将上述所得单相Mg3Sb2化合物研磨成粉末，进行氢化脱氢处理，得到纳米化Mg3Sb2热电材料；所述氢化脱氢的过程为：将粉末装入氢化脱氢反应装置内，a. 氢化条件：温度350℃，时间12h，氢压4MPa；b. 脱氢条件：温度300℃，时间3h，抽真空至1.0×10‑3Pa。
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