[发明专利]基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法

摘要

本发明提供一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，包括步骤：步骤1），于掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；步骤2），对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；步骤3），对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；步骤4），去除所述图形光刻胶；以及步骤5），对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。本发明取消了传统后烘和打胶两个步骤，将传统工艺中独立的两个程序显影和腐蚀合并成了连续的步骤，并考虑到取消了后烘和打胶两个步骤，将显影时间下降一部分以补偿关键尺寸的变化趋势，使得最终的线宽保持在一个良好的范围，大大简化了整个工艺流程，并大大提高了产品良率。

主权项

1.一种基于化学增强光刻胶及电子束曝光的掩模版的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)，提供一掩模版，于所述掩模版上形成正型化学增强光刻胶，对所述光刻胶进行曝光；步骤2)，对曝光后的光刻胶进行前烘及冷却；步骤3)，对所述光刻胶进行显影形成图形光刻胶，并对所述掩模版进行湿法腐蚀以形成图形掩模版；步骤4)，去除所述图形光刻胶；步骤5)，对所述图形掩模版进行关键尺寸测量。