[发明专利]基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备在审
| 申请号： | 201710212512.8 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106971760A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟;李建新 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50;G11C29/12;G11C16/10;G11C16/08;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法、装置和NAND存储设备，该方法应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，所述方法包括在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。本发明实施例可以防止因虚拟字线对应存储器单元的阈值电压右移对数据字线对应存储器单元的数据读写准确性造成的影响，将虚拟字线对应存储器单元的阈值电压调整到正常范围。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand 闪存 阈值 电压 校验 方法 装置 存储 设备 | ||
【主权项】：
一种基于NAND闪存的阈值电压校验方法，应用于NAND存储设备，所述存储设备包括多条字线和多个NAND存储器单元，每条字线分别与对应的存储器单元连接，其中，所述字线包括虚拟字线和数据字线，每组数据字线与每组虚拟字线相对应，其特征在于，所述方法包括：在对所选存储器单元进行擦除操作时，将所选存储器单元对应的数据字线上的擦除电压，加到与所述数据字线对应的虚拟字线上，以对该虚拟字线对应的存储器单元执行擦除操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710212512.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
