[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710212864.3 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN107425027B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 柴田宽 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。在构成背面照射型的固体拍摄装置的半导体装置中，不损害防反射膜的防反射效果地抑制半导体层内部的晶体缺陷的产生。半导体装置包括：受光部，其设置在具有第一导电型的半导体层的内部，且具有与第一导电型不同的第二导电型；缓冲层，其设置在受光部的光射入侧，且由具有第一导电型的非晶硅构成；以及低折射率层，其设置在缓冲层的光射入侧，且具有比半导体层以及缓冲层的折射率低的折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其中，包括：受光部，其设置在具有第一导电型的半导体层的内部，且具有与所述第一导电型不同的第二导电型；缓冲层，其设置在所述受光部的光射入侧，且具有所述第一导电型；以及低折射率层，其设置在所述缓冲层的光射入侧，且具有比所述半导体层以及所述缓冲层的折射率低的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
