[发明专利]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201710213951.0 | 申请日： | 2017-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106910724B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;周梦杰 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 张海英;林波 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；位于衬底上的多层半导体层，在多层半导体上设置有有源区和位于有源区外部的无源区；位于有源区内的栅极、源极和漏极；以及覆盖有源区的至少一部分并且包括散热材料的散热层。在本发明中，半导体器件中设置了覆盖有源区的至少一部分的散热层，散热层的设置可在平面方向上增加半导体器件的导热途径，加快热量从半导体器件内部的热源处向半导体器件外部的传导，改善半导体器件的散热效果，降低半导体器件内部的温度，使半导体器件内部热场分布更加均匀，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的多层半导体层，在所述多层半导体层上设置有有源区和位于所述有源区外部的无源区；位于所述有源区内的栅极、源极和漏极；和覆盖所述有源区的至少一部分并且包括散热材料的散热层。
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