[发明专利]静态随机存取存储器元件及形成方法有效

专利信息
申请号: 201710217036.9 申请日: 2017-04-05
公开(公告)号: CN108695328B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 何万迅;邢溯 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/11 分类号: H01L27/11;H01L21/8244
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种静态随机存取存储器元件及形成方法,该静态随机存取存储器元件包含二基体接触插塞以及二电阻切换装置。基体接触插塞设置于一晶片中且自晶片的一背面暴露出,其中基体接触插塞在晶片中经由金属内连线结构电连接一静态随机存取存储器单元。电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。本发明还提供一种形成静态随机存取存储器元件的方法,包含下述步骤。首先,提供一晶片,晶片具有二基体接触插塞自晶片的一背面暴露出,且具有金属内连线结构电连接基体接触插塞至一静态随机存取存储器单元。接着,形成二电阻切换装置自晶片的背面分别连接基体接触插塞。
搜索关键词: 静态 随机存取存储器 元件 形成 方法
【主权项】:
1.一种静态随机存取存储器元件,其特征在于,包含:二基体接触插塞,设置于一晶片中且自该晶片的一背面暴露出,其中该些基体接触插塞在该晶片中经由金属内连线结构电连接一静态随机存取存储器单元;以及二电阻切换装置,自该晶片的该背面分别连接该些基体接触插塞。
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