[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710217824.8 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107968119B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 徐东灿;卓容奭;朴起宽;朴美善;梁炆承;李承勋;P.唐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一线图案，在衬底上，所述第一线图案与所述衬底分隔开；栅电极，围绕所述第一线图案并交叉所述第一线图案；半导体图案，在所述第一线图案的至少两侧，所述半导体图案包括第一部分，所述第一部分交叠所述第一线图案；栅绝缘层，在所述栅电极与所述第一线图案之间，并且所述栅绝缘层围绕所述第一线图案；以及第一间隔物，在所述第一线图案与所述衬底之间，并且所述第一间隔物在所述栅绝缘层与所述半导体图案之间。
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