[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710217965.X | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107546269B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;朱熙甯;王志豪;梁英强;卡洛斯·H·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | FinFET器件包括具有鳍结构的半导体层，该鳍结构突出到半导体层之外。鳍结构包括第一部分和设置在第一部分上方的第二部分。在半导体衬底上方设置介电层。通过介电层围绕鳍结构的第一部分。在介电层上方设置金属层。通过金属层围绕鳍结构的第二部分。介电层具有比金属层更大的氮含量。鳍结构的第一部分还具有比鳍结构的第二部分的第二侧面更粗糙的第一侧面。本发明还提供了半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体层，具有突出到所述半导体层之外的鳍结构，其中，所述鳍结构包括第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分；介电层，设置在所述半导体层上方，其中，所述介电层围绕所述鳍结构的所述第一部分；以及金属层，设置在所述介电层上方，其中，所述金属层围绕所述鳍结构的所述第二部分，其中，所述介电层的氮含量大于所述金属层的氮含量。
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