[发明专利]氧化物半导体薄膜的制作方法及应用在审
| 申请号： | 201710218074.6 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695136A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 吴绍静;张青;邵霜霜;陈征;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜的制作方法，包括：对基底进行疏水处理，获得改性基底；配制电子墨水：向氧化物半导体的前驱体溶液中加入功能试剂，获得电子墨水；该功能试剂兼具亲水性和提高粘度作用；将电子墨水印刷在改性基底的表面，形成墨滴；待墨滴干燥后，对墨滴进行退火处理，在改性基底上获得氧化物半导体薄膜。该制作方法可形成小尺寸、少厚度的氧化物半导体薄膜；同时，避免使用真空设备及光刻工艺，有效减少了制作成本。基于该氧化物半导体薄膜的制作方法，本发明还提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法，将上述氧化物半导体薄膜用作有源层，可以在单位面积上最大化地集成更多的氧化物薄膜晶体管，满足了显示背板的高像素需求。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体薄膜 电子墨水 制作 改性基 墨滴 氧化物薄膜晶体管 功能试剂 氧化物半导体 前驱体溶液 光刻工艺 疏水处理 退火处理 有效减少 粘度作用 真空设备 高像素 亲水性 最大化 背板 基底 源层 配制 印刷 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜的制作方法，其特征在于，包括：对基底进行疏水处理，获得改性基底；配制电子墨水：向氧化物半导体的前驱体溶液中加入功能试剂，获得电子墨水；其中，所述功能试剂兼具亲水性和提高粘度作用；将所述电子墨水印刷在所述改性基底的表面，形成墨滴；待所述墨滴干燥后，对所述墨滴进行退火处理，在所述改性基底上获得氧化物半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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