[发明专利]互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法

摘要

本发明提供一种互补型TFT器件的制作方法及OLED显示面板的制作方法。该互补型TFT器件的制作方法通过溶液法连续制作一金属氧化物半导体薄膜晶体管和一有机半导体薄膜晶体管，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管和有机半导体薄膜晶体管电性连接，且该金属氧化物半导体薄膜晶体管和有机半导体薄膜晶体管中的一个为N型沟道的薄膜晶体管，另一个为P型沟道的薄膜晶体管，能够减少真空设备和高温设备的使用，充分利用溶液法的可大面积实现和低成本的优势，降低产品制作成本，提升产品竞争力。本发明提供的OLED显示面板的制作方法，能够降低产品制作成本，提升产品竞争力。

主权项

1.一种互补型TFT器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上形成间隔分布的第一栅极(11)、第一电极(21)以及第二电极(22)；步骤2、在所述第一电极(21)以及第二电极(22)之间的间隔区域、以及第一电极(21)和第二电极(22)邻近所述间隔区域的部分上形成依次层叠的第二有源层(23)、第二栅极介电层(24)、以及第二栅极(25)；步骤3、在所述基板(1)、第一栅极(11)、第一电极(21)、第二电极(22)、第二栅极(25)上覆盖第一栅极介电层(12)，对所述第一栅极介电层(12)进行图案化形成位于所述第一电极(21)上方的过孔(26)，暴露出所述第一电极(21)的一部分；步骤4、在所述第一栅极(11)上方的第一栅极介电层(12)上形成第一有源层(13)；步骤5、在所述第一栅极介电层(12)上形成分别与所述第一有源层(13)接触且相互间隔的第三电极(14)和第四电极(15)，所述第四电极(15)通过所述过孔(26)与第一电极(21)接触；其中，所述第一有源层(13)与第二有源层(23)中的一个为N型沟道的有源层，另一个为P型沟道的有源层；所述第一有源层(13)与第二有源层(23)中的一个为金属氧化物半导体有源层，另一个为有机半导体有源层；所述金属氧化物半导体有源层的制作过程包括：在待形成区域设置金属氧化物半导体前驱体溶液形成金属氧化物半导体前驱体薄膜，对所述金属氧化物半导体前驱体薄膜进行退火形成金属氧化物半导体薄膜，对所述金属氧化物半导体薄膜进行图案化形成金属氧化物半导体有源层；所述有机半导体有源层的制作过程包括：在待形成区域设置有机半导体溶液，对所述有机半导体溶液经过烘烤后固化得到有机半导体薄膜，对所述有机半导体薄膜进行图案化得到有机半导体有源层。