[发明专利]实现高频MIS-HEMT的方法及MIS-HEMT器件有效
| 申请号： | 201710219041.3 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN108695383B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李夏珺;张宝顺;蔡勇;于国浩;付凯;张志利;孙世闯;宋亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现高频MIS‑HEMT的方法及MIS‑HEMT器件。所述方法包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设第一介质层，并对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；对与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导进行减薄和表面处理；在与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极与漏极；对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的栅区域对应的所述第三半导体；在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体上设置复合结构栅介质，以及制作源极、漏极和栅极，使所述栅极分布于所述源极和漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 高频 mis hemt 方法 器件 | ||
【主权项】：
1.一种实现高频MIS‑HEMT的方法，其特征在于包括：提供主要由第二半导体和第三半导体组成的异质结构，所述第三半导体分布于第二半导体上，并具有宽于第二半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第三半导体上覆设第一介质层，并对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的源漏区域对应的所述第三半导体；对与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导进行减薄和表面处理，以至少能够平衡二维电子气处电阻与势垒层电阻和增加其表面粗糙度；在与所述异质结构的源、漏区域对应的第三半导体上制作与所述异质结构连接的源极与漏极；对所述第一介质层进行加工以暴露与所述异质结构的栅区域对应的所述第三半导体；在与所述异质结构的栅区域对应的第三半导体上设置复合结构栅介质，所述复合结构栅介质包括层叠设置的第一氧化物和第二氧化物；在所述复合结构栅介质上制作与所述异质结构连接的栅极，使所述栅极分布于源极与漏极之间，所述源极和漏极能够通过所述二维电子气电连接。
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