[发明专利]一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置有效
| 申请号： | 201710224420.1 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN106963376B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈远方;张利剑;段彦军 | 申请（专利权）人： | 北京机械设备研究所 |
| 主分类号： | A61B5/0478 | 分类号： | A61B5/0478;G06F3/01;A61M35/00 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 王涛;王一 |
| 地址： | 100854 北京市海淀区永*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于储液池单元上，且同轴安装，第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且内部连通。本发明通过独立分圈缓冲结构有效解决因头部颠簸、振动所引起的电极与头皮接触不稳和运动伪迹；通过导电液体自动补给加注结构，保证电极触点圆柱作为电极的低阻抗特性和长时间连续使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 独立 缓冲 结构 阻抗 传感 电极 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基于独立分圈缓冲结构的低阻抗脑电传感电极装置，其特征在于，包括电极顶盖(10)、第一缓冲弹簧(30)、第二缓冲弹簧(40)、第一储液池单元、第二储液池单元和电极触点圆柱(90)；第一缓冲弹簧(30)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第一储液池单元上；第二缓冲弹簧(40)的上端固定于电极顶盖(10)的下表面，下端固定于第二储液池单元上；第一缓冲弹簧(30)和第二缓冲弹簧(40)同轴安装，且第二缓冲弹簧(40)的直径大于第一缓冲弹簧(30)的直径；第一储液池单元和第二储液池单元下方均布有多个电极触点圆柱(90)，且与电极触点圆柱(90)内部连通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京机械设备研究所，未经北京机械设备研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710224420.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
