[发明专利]卡格列净有关物质的合成方法

摘要

本发明涉及到卡格列净有关物质的合成方法，属于药物有关物质合成领域。本发明目的是提供一种卡格列净有关物质的合成方法，该有关物质为卡格列净杂质Ⅰ和卡格列净杂质Ⅱ，本发明有关物质卡格列净杂质Ⅰ和卡格列净杂质Ⅱ的合成方法，是先通过原料A制备得到卡格列净杂质Ⅰ，然后再采用卡格列净杂质Ⅰ进一步制备得到卡格列净杂质Ⅱ。通过核磁和质谱确定为卡格列净杂质Ⅰ和卡格列净杂质Ⅱ，可用于卡格列净原料药制备的质量控制和研究的标准品，为定性定量检测卡格列净提供了一种新的选择。

主权项

1.卡格列净杂质Ⅰ的合成方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：化合物A溶于溶剂中，加入催化剂，常温搅拌反应至反应完成得到化合物B；步骤二：碘代物或溴代物溶于反应溶剂，低温下加入格氏试剂或者锂试剂，反应1‑3小时，将反应液加入化合物B的溶液中反应，反应完成后乙酸溶液淬灭反应，直接蒸干得到粗品化合物C直接用于下一步反应；步骤三：将粗品化合物C溶于溶剂，低温下加入还原剂硅烷试剂、路易斯酸，常温反应至反应完成，加入碳酸氢钠溶液淬灭反应，萃取分离，有机相直接蒸干，得到粗品卡格列净杂质Ⅰ，柱层析纯化，洗脱剂为乙酸乙酯、石油醚，其体积比为1：1，得到纯品卡格列净杂质Ⅰ；其中，所述化合物A的结构式为：所述化合物B的结构式为：所述化合物C的结构式为：所述卡格列净杂质Ⅰ的结构式为：步骤一所述催化剂为三氟乙酸；步骤一所述溶剂为乙酸酐；步骤一所述常温的温度为15‑35℃；步骤二所述低温下加入格氏试剂或者锂试剂的条件为‑10～10℃；步骤三所述低温下加入还原剂硅烷试剂、路易斯酸的条件为0℃；步骤三所述常温反应的反应温度为10～20℃。