[发明专利]图形光罩连接孔缺陷检查测试结构及方法

摘要

本发明提供一种图形光罩连接孔缺陷检查测试结构及方法，在衬底上进行阱离子、源漏离子注入后，沉积金属硅化物层，并且光刻形成孔或者沟槽，在孔或者沟槽内沉积金属硅化物阻止层，在金属硅化物层上沉积金属层，在金属硅化物阻止层上沉积第一介电质层，然后在上述结构上沉积第二介电质层，在该第二介电质层形成连接孔，该测试结构上的连接孔就是用被测试的图形光罩光刻形成的，然后对该连接孔进行沉积金属形成金属栓，对其扫描电子束，也即扫描电镜下每个连接孔的亮度来确定该连接孔是否存在了缺陷,就可以找出图形光罩上该连接孔图案是否具有缺陷。这种测试结构排除连接孔被沟槽干扰的问题，能够单纯地找出仅由图形光罩连接孔图案造成的缺陷。

主权项

1.一种图形光罩连接孔缺陷检查测试结构的制作方法，包括:步骤一：提供一衬底，进行阱离子和源漏离子注入；其特征在于，还包括以下步骤：步骤二：在步骤一形成的结构上形成金属硅化物层并光刻形成孔或者沟槽，在所述孔或者沟槽内沉积金属硅化物阻止层；步骤三：在所述金属硅化物层上沉积金属层，在所述金属硅化物阻止层上沉积第一介电质层；步骤四：在步骤三形成的结构上沉积第二介电质层，在所述第二介电质层中形成连接孔，所述连接孔底部与所述金属层接触，在所述连接孔内沉积金属形成金属栓。