[发明专利]一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜在审
| 申请号： | 201710225973.9 | 申请日： | 2017-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN106876637A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 钟玲珑 | 申请（专利权）人： | 深圳市佩成科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M2/14 | 分类号： | H01M2/14;H01M2/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜，包括商用Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/PVDF层组成，所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为10.01‑0.1。Ti3C2Tx上的T为‑F基团或 ‑OH基团，均为强极性基团，能对充放电过程中形成的多硫化物形成强烈的化学吸附，能有效的阻止多硫化物穿过隔膜到达负极，减少飞梭效应的发生，提高锂硫电池的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ti3c2tx pvdf celgard 复合 隔膜 | ||
【主权项】：
一种Ti3C2Tx/PVDF/Celgard复合隔膜，包括商用Celgard隔膜和其表面的 Ti3C2Tx/PVDF层组成，所述的Ti3C2Tx/PVDF层的厚度为1～10μm，所述的Ti3C2Tx/PVDF层中Ti3C2Tx与PVDF的质量比为1：0.01‑0.1。
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