[发明专利]用于非平面半导体器件架构的精密电阻器

摘要

本发明描述了用于非平面半导体器件架构的精密电阻器。在第一示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。电阻器结构设置在所述第一半导体鳍状物上方，但不设置在所述第二半导体鳍状物上方。晶体管结构由所述第二半导体鳍状物形成，但不由所述第一半导体鳍状物形成。在第二示例中，半导体结构包括设置在衬底上方的第一半导体鳍状物和第二半导体鳍状物。隔离区设置在所述衬底上方、位于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间、并且位于小于所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的高度处。电阻器结构设置在所述隔离区上方，但不设置在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上方。第一晶体管结构和第二晶体管结构分别由所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物形成。

主权项

一种器件，包括：第一鳍状物，包括硅；第二鳍状物，包括硅；在所述第一鳍状物和所述第二鳍状物之间具有区域的绝缘材料，其中所述绝缘材料包括硅和氧；在所述绝缘材料的所述区域之上的电阻器，其中所述电阻器包括多晶硅；耦合到所述电阻器的顶部表面处的位置的导电接触部，其中所述电阻器至少部分地位于所述导电接触部和所述绝缘材料之间，并且所述导电接触部包括钨；至少部分地位于所述第一鳍状物之上的第一金属区域，其中所述第一金属区域向下延伸接近所述第一鳍状物的侧表面，并且所述第一金属区域包括过渡金属；至少部分地位于所述第一鳍状物和所述第一金属区域之间的第一电介质区域，其中所述第一电介质区域包括铪；至少部分地位于所述第二鳍状物之上的第二金属区域，其中所述第二金属区域向下延伸接近所述第二鳍状物的侧表面，并且所述第二金属区域包括过渡金属；以及至少部分地位于所述第二鳍状物和所述第二金属区域之间的第二电介质区域，其中所述第二电介质区域包括铪；其中所述电阻器的所述顶部表面处的所述位置具有第一高度，所述第一金属区域的顶部表面具有第二高度，所述第二金属区域的顶部表面具有第三高度，所述第一高度小于所述第二高度，并且所述第一高度小于所述第三高度。