[发明专利]DC磁控溅射设备和方法在审
| 申请号： | 201710228703.3 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107313021A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·海莫尔;阿米特·拉斯托吉;R·辛德曼;史蒂夫·伯吉斯;I·蒙克里夫;克里斯·肯德尔 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/50 | 分类号： | C23C14/50;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司11270 | 代理人： | 张铮铮,姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备，所述DC磁控溅射设备包括腔室；放置在所述腔室内的基底支撑件；DC磁控管；以及用于提供电偏压信号的电信号供应装置，在使用期间所述电偏压信号致使离子轰击放置在所述基底支撑件上的基底；其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的。本发明还涉及一种用于在基底上沉积膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | dc 磁控溅射 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在基底上沉积膜的DC磁控溅射设备，所述DC磁控溅射设备包括：腔室；放置在所述腔室内的基底支撑件；DC磁控管；以及用于提供电偏压信号的电信号供应装置，在使用期间所述电偏压信号致使离子轰击放置在所述基底支撑件上的基底；其中，所述基底支撑件包括被边缘区域环绕的中心区域，所述中心区域相对于所述边缘区域是凸起的。
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